报告时间：2025年05月28日（周三）下午16:30 - 17:30

报告地点：基础教学楼1603

报  告  人：安兴涛 河北科技大学教授 理学院院长

主办单位：科技处

承办单位：数理系

 报告内容简介：在过渡金属二硫化物的转角同质双层结构中已经证明了拓扑微带的存在。然而，拓扑边缘态表现的全面理论表征仍然是一个备受关注且未解决的问题。在此，我们研究了转角WSe2双层的拓扑输运性质。除了单一的量子自旋霍尔态外，我们还发现了双量子自旋霍尔态，其特点是存在两对螺旋边缘态。此外，这些边缘态中的电荷载流子并不是局限于原子级别的边缘，而是局限于莫尔超晶格边界的高势点，并持续发生层间跃迁向前传播。我们将这些边缘态称为莫尔边缘态。这些边缘态能够在非磁性无序中存活，其中双量子自旋霍尔态的鲁棒性超过了单量子自旋霍尔态。在3°的扭转角度下，通过调整表面栅极可以实现单量子自旋霍尔态与双量子自旋霍尔态之间的过渡。基于此，我们提出了一种作为拓扑自旋分流器的五端口器件。这些结果将为无耗散自旋电子学的发展提供支持。

 报告人简介：安兴涛，男，河北科技大学教授，博士生导师。主要从事低维量子系统中光电性质方面的研究。2011-2015年期间先后在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室和香港大学从事博士后研究，2011年入选河北省三三三人才工程第三层次人选，2013年获河北省首批青年拔尖人才称号，2017年获得河北省高校百名优秀创新人才资助，2018年获得河北省杰出青年科学基金资助，2019年作为第一完成人获得河北省自然科学二等奖，2019年获得河北省政府特殊津贴专家荣誉称号，2023年获得河北省杰出专业技术人才称号。近年来主持国家自然科学基金项目3项，河北省科研项目5项。以第一作者或通讯作者身份在物理顶级期刊Phys. Rev. Lett.和物理类TOP期刊Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett.等SCI期刊发表学术论文30余篇，研究成果被中科院院士、欧洲科学院院士、美国物理学会会士、欧洲物理学会会士多位本领域国际权威学者在理顶级期刊评述引用，得到了国际国内同行的广泛认可。

科技处

2025年5月26日